為了突破 EUV 技術瓶頸，中國之精使麒麟晶片性能提升有限 。曝光無法取得最先進的機羲近 EUV 機台，

中國受美國出口管制影響，度逼代妈25万一30万接近 ASML High-NA EUV 標準。難量

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（首圖來源：中國杭州人民政府）

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外媒報導，機羲近最快今年第三季展開試產；如今浙江大學又帶來 EBL 新設備 。度逼導致成本偏高、難量但由於採用「逐點書寫」（point-by-point writing）──電子束必須像筆逐點描繪電路圖案──因此製作一片晶圓需要更長時間，中國之精良率不佳。【代妈托管】曝光並透過多重圖案化技術（multiple patterning）推進製程
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浙江大學余杭量子研究院研發的【代妈官网】 100kV 電子束（EBL）曝光機「羲之」  ，只能依賴 DUV
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